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蔡司(ZEISS)使用CrossbeamLaserFIB-SEM数量级加快半导体封装失效分析速度【竞技宝JJB官方下载】

2024-12-16 20:25:01
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本文摘要:蔡司CrossbeamLaser将飞秒激光、镓离子探讨离子束(FIB)和场发射扫描电镜(SEM)统合于单一设备,获取针对特定方位的最较慢横截面工作流程加州普莱斯顿与德国奥博科亨,2020年2月4日--蔡司日前发售了针对特定方位的探讨离子束扫描电镜(FIB-SEM)新型解决方案蔡司CrossbeamLaser,该产品需要明显减缓高级半导体PCB过热分析以及制程优化。

蔡司CrossbeamLaser将飞秒激光、镓离子探讨离子束(FIB)和场发射扫描电镜(SEM)统合于单一设备,获取针对特定方位的最较慢横截面工作流程加州普莱斯顿与德国奥博科亨,2020年2月4日--蔡司日前发售了针对特定方位的探讨离子束扫描电镜(FIB-SEM)新型解决方案蔡司CrossbeamLaser,该产品需要明显减缓高级半导体PCB过热分析以及制程优化。蔡司CrossbeamLaser产品系列通过飞秒激光提升速度,通过镓离子(Ga+)束提升精度,通过SEM展开纳米级分辨率光学,为PCB工程师和过热分析师获取速度最慢的横截面解决方案和最低光学性能,同时将样品损毁降到低于。

蔡司CrossbeamLaser使用独有架构,需要对铜柱凸块和硅通孔(TSV)等埋藏PCB点对点结构以及器件后道工序(BEOL)和前道工序(FEOL)结构展开较慢横截面,整个过程只需几分钟(其他方法则必须数小时或数天),同时需要仅次于程度地增加伪影,并在真空环境下保持样品质量。除故障分析外,蔡司CrossbeamLaser系列还可用作结构分析、工程分析、逆向工程、FIB断层扫描和透射电镜(TEM)样品制取。

目前有数数部蔡司CrossbeamLaser系统部署于全球知名电子制造商。蔡司CrossbeamLaserFIB-SEM减缓高级半导体PCB过热分析以及制程优化。

它将飞秒激光、镓离子探讨离子束(FIB)和场发射扫描电镜(SEM)统合于单一设备,,获取针对特定方位的最较慢横截面工作流程分析3DPCB过热根本原因的新方法移动设备在微型化和低点对点密度方面的拒绝更加低,推展技术创新的爆发性快速增长,构建粗间距与多芯片PCB架构。这些设计不仅增大了点对点PCB,同时也在日益将PCB推上第三维度。

与此同时,深藏于这些PCB内部的新型缺失也浮出水面,影响到良品率和可靠性,因此必需很快找到这些缺失并不予避免。在过热分析工作流程中,可用分析是优化PCB制程和提升PCB良品率的第一步。

使用如蔡司XradiaVersa3DX射线显微镜等设备用作可用仔细观察缺失部位,然后用于破坏性物理过热分析(PFA)技术确认故障根本原因并不予解决问题。今天,PCB点对点往往与芯片后道工序互相交叉,而PFA技术常用的机械横截面很难很快而精确地抵达埋很深的结构和缺失。此外,芯片后道工序使用脆性材料(如极低介电材料),将使横截面切割成造成的伪影数量减少,很难将其与芯片和PCB交互所导致的现实缺失区分出去。双束电浆离子束(PFIB)是另外一种横截面方法,但比飞秒激光快10,000倍。

这种技术很难在很多PCB过热分析应用于所拒绝的时间内已完成0.5立方厘米的转印体量。此外,PFIB还约将近最低品质TEM样品制取所必须的分辨率,而且不会在半导体PCB中少见的碳质材料中引起放射状伪影。独立国家激光系统可实现较慢转印,但有可能产生较小的热影响区,从而减少了目标区域的损毁机率,也缩短了除去伪影的打磨时间。

由于无法与FIB-SEM互为构建,造成过热分析工作流程速度减慢、效率减少,同时还不会因分析前曝露于大气而面对水解伪影的风险。蔡司制程掌控解决方案(PCS)部门与蔡司SMT部门总裁RajJammy博士讲解说道:PCB世界早已超过拐点:单个硅中介层的密度已相似百万I/O,晶圆厂商大大增大点对点面积,填充无处不在器件本身、PCB层之间以及印刷电路板内部。

因此,当零件再次发生故障时,故障隔离和过热分析都显得出现异常艰难。蔡司CrossbeamLaser系列目的减轻过热分析工程师面对的这种压力,使用业内一流的技术,将速度、精度和高分辨率光学构建于单一设备,以前所未有的速度取得过热分析结果。

蔡司CrossbeamLaser系列产品获取最佳PFA解决方案,需要明显延长光学总时间,获取最低光学性能。新产品的主要特性还包括:飞秒激光可实现大体积光刻,且需要将伪影数量降到低于(仅有30分钟才可光刻1立方毫米硅芯片,而其他方法必须数小时甚至数天)蔡司的Gemini光学组件具备最低光学质量和分析能力Ga+FIB,可获取100nA的高速磨削以及500V下的精抛光,以增加非晶化使用FIB分辨率(较低至3纳米)精确定位目的点隔绝式激光室可将光刻污染物与主光学室互为隔绝,维持最低分辨率光学能力,同时将确保成本保持在较低水平可在FIB-SEM和激光室之间精彩展开样品移往,防止毁坏真空激光制取技术限于于多种材料,还包括碳化硅和玻璃蔡司CrossbeamLaser与蔡司XradiaVersaXRM结合,为标准过热分析工作流程获取强劲补足,有助提升过热分析成功率,减缓问题解决问题速度。关于蔡司蔡司是全球光学和光电领域的先锋。

上个财年度,蔡司集团旗下四个部门的总收入多达64亿欧元,还包括半导体生产技术、工业质量与研究、医疗技术以及消费市场(累计:2019年9月30日)。蔡司为客户研发、生产和分销用作工业测量与质量掌控的创意解决方案,用作生命科学和材料研究的显微镜解决方案,以及用作眼科和显微外科临床与化疗的医疗技术解决方案。在半导体行业,蔡司已沦为世界杰出的光学光刻技术的代名词,该技术被芯片行业用作生产半导体元件。眼镜镜片、照相机镜片和双筒望远镜等引导行业潮流的蔡司产品正在全球市场热卖。

凭借与数字化、医疗保健和智能生产等未来快速增长领域结合的投资人组,以及强劲的品牌,蔡司正在塑造成光学和光电行业以外的未来。该公司在研发方面的根本性、可持续投资为蔡司技术和市场顺利维持领先地位和持续扩展奠下了基础。蔡司享有大约31,000名员工,活跃于全球近50个国家,享有大约60家自有销售和服务公司、30多家生产基地和约25家研发基地。

公司于1846年创立于耶拿(Jena),总部坐落于德国奥伯科亨。卡尔蔡司基金会(CarlZeissFoundation)是德国仅次于的基金会之一,致力于增进科学发展,是控股公司卡尔蔡司股份公司的唯一所有者。蔡司半导体生产技术事业部蔡司半导体生产技术事业部享有普遍产品组合与先进设备专业技术,涵括微芯片生产的关键过程。

其产品还包括半导体生产光学组件(主要为光刻光学组件),以及用作半导体生产的光掩模系统和过程控制解决方案。归功于蔡司技术,微芯片体积大大增大、功能日益强劲、能效渐渐提升,而价格日益合理。大大强化的电子应用于推展了全球多个行业的变革,还包括技术、电子、通信、娱乐、交通和能源。

半导体生产技术事业部总部坐落于德国奥伯科亨(Oberkochen),在德国耶拿(Jena)、罗斯多夫(Rossdorf)和韦茨拉尔(Wetzlar),以色列巴尔列夫(BarLev),美国加利福尼亚州普莱森顿(Pleasanton)及马萨诸塞州皮博迪(Peabody)另设分部。


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